理化学研究所（理研）開拓研究所上野核分光研究室の大島勇吾専任研究員、名古屋大学大学院工学研究科の竹延大志教授、東北大学大学院理学研究科の高石慎也准教授らの共同研究グループは、分子性物質[1]に基づくメモリスタ[2]においてコイルを用いずに発振する電子回路を発見しました。本研究により、従来はコイル[3]によって実現されてきたインダクター[3]機能を、物質の内部ダイナミクスによって代替できることが示され、コイル不要の発振回路が可能となりました。これにより、低周波回路設計の自由度向上や小型・集積化への...

・高密度酸素ラジカル源（HD-ORS）を開発し、分子線エピタキシー（MBE）注1）・物理蒸着法（PVD）注2）で原子状酸素密度を従来比2倍に向上。・HD-ORSを用いたMBEで、300℃、1µm/hにて次世代パワー化合物半導体注3）である酸化ガリウム（Ga₂O₃）注4）の高速ホモエピタキシャル成長注5）を実現。・PVDにおいてもHD-ORSを活用することにより、1µm/h超の高速成長で安定した（001）面ホモエピタキシャル膜を実現。...

・半金属1)でありながら極めて高い熱電性能を示すTa₂PdSe₆の電子構造を直接観測しました。・電子が集団的電荷振動と結合した新しい準粒子「プラズモニックポーラロン」2)を発見しました。・電子と正孔3)の性質の違いが、半金属の高性能熱電変換を生むことを明らかにしました。 岡山大学学術研究院先鋭研究領域（異分野基礎科学研究所）の大槻太毅准教授と名古屋大学大学院理学研究科の中埜彰俊助教（現：同大学大学院工学研究科講師）、寺崎一郎教授、京都大学大学院人間・環境学研究科の吉田鉄平教...

・MOCVD法を用いて、サファイア基板上のMoS2結晶粒が自己整合して単結晶化する革新的な成長メカニズムを発見。・独自のプリカーサ選択により、成膜反応が単層厚さで自動停止する新たな現象を見いだし、2インチサイズのウエハー全体にわたって均一で再現性の高い単層MoS2膜を実現。・2つの成膜メカニズムの相乗効果により高い電子移動度を達成。量産化を見据えたウエハースケールで高品質な単層MoS2単結晶膜の形成という産業界からの要請に応えるとともに、次世代サブ1 nmノード論理トランジスタ実現に向けた重要な一歩。...

・名古屋大学と東京エレクトロン宮城株式会社による共同研究で、革新的プロセス開発を推進。・冷却した SiO₂表面でフッ化水素と反応生成物のH₂Oが共吸着することで、エッチングの活性化エネルギー閾値をほぼゼロにできる可能性を発見。・反応生成物H₂Oが冷却したSiO₂膜の表面に自己触媒反応（autocatalytic reaction）注1）により再吸着することで、エッチング反応を飛躍的に加速できる。・エッチングガスに、従来の地球温暖化係数（GWP）が高いフルオロカーボン系ガスを使用せず、フッ化水素（HF）を用いることで環境負荷が低いプロセ...

・研究グループ独自のユニークな手法により、半導体材料の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）（1）のデンドライト（2）と呼ばれるナノスケールのネットワーク構造の合成に成功しました。・単層TMDCと成長基板の界面を化学反応場とするナノリアクタを用いることで、ナノスケールのデンドライト構造の合成に成功しました。・この手法の開発により、従来の貴金属フリーの水素発生触媒（3）の発展に大きく寄与します。 学術研究院環境生命自然科学学域の鈴木弘朗研究准教授と名古屋工業大学物理工学類の平...

・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...

・有機リン化合物によるn型化注1）の実現 ： リン化合物の電子供与により、単層カーボンナノチューブ注2）（SWCNT）を安定的にn型化。フェルミ準位注3）上昇と近赤外吸収変化で電子注入を実証。・フラーレン誘導体（PCBM）による界面改善 ： 絶縁性残さを除去し、ペロブスカイト層との接触を改善。電子移動度が2倍以上に向上し、変換効率8.03%を達成。・優れた耐久性と疎水性による安定化 ： ドーピング注4）による撥水性向上で、無封止でも500時間後に効率50%を保持。金属電極を超える安...

・高性能スピントロニクス※1材料として有名な強磁性※2ホイスラー合金※3の一種であるCo2FeSiと表面弾性波材料※4として有名な圧電体※5ニオブ酸リチウム(LiNbO3)からなるエピタキシャル※6Co2FeSi/LiNbO3界面マルチフェロイク構造※7を実現。・スピン波※8の長距離伝播が示唆される低磁気摩擦特性(低ダンピ...

アイクリスタル株式会社（代表取締役：髙⽯ 将輝／取締役 技術統括：関 翔太）、グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社（研究代表者、参事：永井 勇太）、国⽴⼤学法⼈東海国⽴⼤学機構 名古屋⼤学 未来材料・システム研究所（教授：宇治原 徹／准教授：沓掛健太朗）、ならびにソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社（主幹技師：⾕川 公⼀／永倉 ⼤樹）の研究グループは、仮想空間上に構築したデジタルツインを接続して⾼速に最適化するプロセス全体最適化プラットフォーム「メタファクトリー」を⽤いて Si ウェーハ製造から CMOS イメージセンサー（CIS）製造まで合計 30 ⼯程を⼀気通貫で最適化し...

・半導体フォトカソード注1）技術は、電子ビームを用いた半導体製造技術に対する技術革新の可能性が示唆されていたが、産業利用上、脆弱性の課題があった。・GaN系半導体材料注2）により、既存技術の20倍以上の高耐久性能を実現したことで、産業利用への課題が突破された。・GaN系フォトカソードのナノ秒パルス電子ビームを活かした、選択的電子ビーム照射技術（Digital Selective e-Beaming: DSeB技術）が発明された。・DSeB技術を用いて、メモリデバイス内の微細なトランジスタの非接触での駆動およびその...

・次世代パワー化合物半導体注1）酸化ガリウム(Ga2O3)注2）のp型制御技術に成功。・デバイスを製造する上でコスト、設計に有利なイオン注入法で実現した。・Ni（ニッケル）をイオン注入し、二段階熱処理法を適用してp型NiO膜を形成。・既存のショットキーダイオードの2倍の電流が流れるバイポラーpnダイオードを実証。 名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの堀 勝 特任教授、 小田 修 特任教授と清水 尚博 特任教授らの研究グループは、次世代パ...

・IV族混晶半導体注1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注3)からなる二重障壁構造(DBS)注4)を、分子線エピタキシー（MBE）法で、従来よりも高品質にエピタキシャル成長する技術を新規に開発した。・GeSn層のエピタキシャル成長中にのみ水素（Ｈ₂）ガスを導入することで、平坦かつ急峻界面を有するGeSn/GeSiSn DBSの形成が可能であることを明らかにした。・高品質成長したGeSn/GeSiSn DBSを用いた共鳴トンネルダイ...

・ハロゲンフリープラズマ注１）を用いた原子層エッチング（ALE）注2）を開発した。・最先端半導体デバイスに用いられ、難エッチング材料である酸化ハフニウム(HfO₂)の異方性原子層エッチング注3）を室温で実現した。・SDGs（持続可能な開発目標）に向け、次世代半導体デバイスの実用化を支えるプラズマエッチング技術注4）の推進が期待される。 名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの蕭　世男(シャオ シーナン)特任教授 、堀　勝　特任教授らの研究グ...

・電気を記憶する強誘電性や磁気を記録する強磁性を併せ持つ「マルチフェロイクス材料」であるビスマスフェライトの薄膜は情報記録やスピントロニクスなどの分野で応用が期待されている。・ビスマスフェライト薄膜の性質は原子配列を特徴づける「結晶相」によって決まる。・本研究では、先端電子顕微鏡により、ビスマスフェライト薄膜中に√２×√２の周期を持つ新しい結晶相を発見した。・これは次世代メモリやスピントロニクス、エネルギー変換材料の設計に新たな視点を提供する成果である。 熊本大学半導体・デジタル研究教育機構...

・固体粒子集合体（粉体※１）において、金属等の原子結晶特有の変形メカニズムである“転位すべり※２”を世界で初めて観測。・コンピューターシミュレーションにより、ミクロな原子結晶の理論に基づく欠陥構造をマクロな粉体系に精緻に導入することで、粒子間の摩擦が小さい場合に限って“転位すべり”が発生することを発見。また、この“転位すべり”によって、欠陥のない完璧な結晶状態に比べて、はるかに小さい力で物質全体が変形することも明らかに。・原子レベルの結晶物理学と、目に見える...

・量子ドット注1）は、強く安定な発光を示すナノ発光プローブとして2023年にノーベル化学賞を受賞して注目されたが、ディスプレイや太陽電池などと比較して、生体イメージング用途の開発は遅れていた。・硫化銀ゲルマニウム半導体（Ag8GeS6）は、天然鉱物（アルジロダイト）としても存在する安定な材料であり、近赤外波長領域の光をよく吸収し、太陽電池材料として注目されている。しかし、これまで室温での発光は全く報告されておらず、発光特性は未開拓な材料である。・本研究ではAg2Sにゲルマニウム（G...

NIMSは、名古屋大学・東京大学との共同研究により、金属や半導体に熱流、電流、磁場を互いに直交する方向に印加すると吸熱や発熱が発生する現象「横型トムソン効果」を観測することに世界で初めて成功しました。本研究により、熱・電気・磁気変換現象に関する物理および物質・材料科学のさらなる発展や、新たな熱マネジメント技術の創出が期待されます。この研究成果は、6月26日にNature Physics誌に掲載されました。 今回、当研究チームは、熱流、電流、磁場を互いに直交する方向に印加した際に、ビスマス-アンチモン合金において従来の熱電効果では説明できない吸発熱信号を観測しまし...

理化学研究所（理研）開拓研究所伊丹分子創造研究室の伊丹健一郎主任研究員（環境資源科学研究センター拡張ケミカルスペース研究チームチームディレクター、名古屋大学トランスフォーマティブ生命分子研究所（WPI-ITbM）主任研究者）、名古屋大学大学院理学研究科の八木亜樹子教授らの国際共同研究グループは、窒素原子を含む芳香環であるアジン環のみから構成されるオールアジンナノリング[1]の合成に成功しました。これにより、アジンナノリングの特徴を生かして、超分子材料やエネルギー貯蔵材料などへの展開が行われることが期待されます。また、アジンナノリングは半導体デバイスとしての応用研究が行われている窒素...

・Siウェーハ製造からCIS注1）製造までの一貫したプロセス全体最適化を行った。・各製造プロセスのデジタルツイン注2）を接続して、仮想空間上で高速に最適化。・企業横断のためのプラットフォーム（メタファクトリー）を構築した。 ◆詳細（プレスリリース本文）は...

・有機物を原料とする有機合成のための人工光合成注１）という新しい分野を開拓した。・太陽光と水を活用して、医薬品の材料などの有用な有機化合物注２）の合成と、次世代の再生可能エネルギーでもあるグリーン水素注３）の生産を同時に実現した。・汚染有機物の分解や水の分解注４）を促す2種類の無機半導体光触媒注５）の相乗効果・協働作用によって「分解」ではなく、その逆の「合成」への転換を達成した。・持続可能なエネルギーと資源を利用した医農薬生産への貢献が期待される。...