名古屋大学 研究シーズ|
検索したキーワードがページ内でハイライトします。
| RESET |
研究キーワード：名古屋大学における「移動度」 に関係する研究一覧：4件
概要表示
折りたたむ
発表日：2026年5月28日
この記事は2026年6月11日号以降に掲載されます。
1
光電極における結晶面選択的な反応メカニズムを解明
― 合理的な光電極設計指針の確立に期待 ―
この記事は2026年6月11日号以降に掲載されます。
概要表示
折りたたむ
発表日：2026年1月22日
2
次世代半導体MoS2の革新的ウエハースケール成膜技術を開発
――結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成――
・MOCVD法を用いて、サファイア基板上のMoS2結晶粒が自己整合して単結晶化する革新的な成長メカニズムを発見。・独自のプリカーサ選択により、成膜反応が単層厚さで自動停止する新たな現象を見いだし、2インチサイズのウエハー全体にわたって均一で再現性の高い単層MoS2膜を実現。・2つの成膜メカニズムの相乗効果により高い電子移動度を達成。量産化を見据えたウエハースケールで高品質な単層MoS2単結晶膜の形成という産業界からの要請に応えるとともに、次世代サブ1 nmノード論理トランジスタ実現に向けた重要な一歩。...
キーワード：金属元素/高移動度/モリブデン/電子移動/有機金属化学/有機金属/前駆体/エピタキシャル成長/トランジスタ/パワーデバイス/ファンデルワールス力/大規模集積回路/電子デバイス/二硫化モリブデン/半導体デバイス/温度依存性/発光ダイオード（LED）/半導体産業/エピタキシャル/単結晶/レーザー/移動度/結晶化/結晶成長/酸化物/集積回路/低消費電力/半導体/結晶構造
他の関係分野：環境学化学総合理工工学農学
概要表示
折りたたむ
発表日：2025年12月9日
3
AlN基板上AlN/GaN/AlN 薄膜トランジスタで高耐圧・低抵抗・電流不安定性解消を実証
～通信・レーダー向け高周波デバイスの性能向上に期待～
・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...
キーワード：ミリ波/先端技術/産学連携/結晶格子/コヒーレント/高周波/アンモニア/電子移動/有機金属/GaN/MOVPE/イメージセンサー/デバイスプロセス/トランジスタ/パワーデバイス/バンドギャップ/高電圧/窒化ガリウム/電子デバイス/薄膜トランジスタ/半導体デバイス/半導体材料/発光ダイオード（LED）/ドーピング/単結晶/SiC/アルミニウム/シリコン/センサー/トラップ/マイクロ/マイクロ波/移動度/化合物半導体/結晶成長/周波数/集積回路/窒化アルミニウム/熱伝導/熱伝導率/半導体/エネルギー変換/結晶構造
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学化学総合理工工学農学
概要表示
折りたたむ
発表日：2025年12月6日
4
カーボンナノチューブを「電子」を運ぶ素材に変換 ペロブスカイト太陽電池の"弱点"克服へ新展開
・有機リン化合物によるn型化注1）の実現 ： リン化合物の電子供与により、単層カーボンナノチューブ注2）（SWCNT）を安定的にn型化。フェルミ準位注3）上昇と近赤外吸収変化で電子注入を実証。・フラーレン誘導体（PCBM）による界面改善 ： 絶縁性残さを除去し、ペロブスカイト層との接触を改善。電子移動度が2倍以上に向上し、変換効率8.03%を達成。・優れた耐久性と疎水性による安定化 ： ドーピング注4）による撥水性向上で、無封止でも500時間後に効率50%を保持。金属電極を超える安...
キーワード：近赤外/太陽/電子移動/ペロブスカイト太陽電池/ハイブリッド材料/単層カーボンナノチューブ/キャリア/ペロブスカイト/電子デバイス/持続可能/ドーピング/太陽電池/電気伝導/電子状態/電池/カーボン/電気伝導性/カーボンナノチューブ/シリコン/移動度/環境負荷/耐久性/炭素材料/導電性/熱伝導/半導体/ナノチューブ/フラーレン/誘導体
他の関係分野：数物系科学化学総合理工工学総合生物