・酸化アルミニウム（アルミナ）を、室温・超高圧でミリメートル級の高密度なガラス状材料として形成・硬さ・熱特性・電気特性を併せ持つ新非晶質材料として、電子・機械分野での材料選択肢拡大に期待・高圧による緻密化を通じて性質を調整できる可能性を示し、構造制御による材料設計指針を提案 1.　工学院大学（学長：今村 保忠、所在地：東京都新宿区／八王子市）と物質・材料研究機構（理事長：宝野 和博、所在地：茨城県つくば市、以下「NIMS」）を中心とする研究チームは、名古屋大学 高田 尚記 教授、京都大学、日本電子株式会社、東北大学、島根大学、岡本硝子株式会...

・フラーレン分子と三酸化モリブデンナノクラスターから成る新奇ナノ複合体を創製。・巨大熱電効果を利用することで、導電率σに対して熱伝導率κが増加しない低σ領域でパワーファクター注1）を最大化することに成功。・有機熱電材料としては世界最高の性能指数zT = 0.81を実現。 名古屋大学大学院工学研究科の中谷 真人 准教授、尾上 順 教授らの研究グループは、名古屋大学未来材料・システム研究所の小川 智史 准教授および電...

・高密度酸素ラジカル源（HD-ORS）を開発し、分子線エピタキシー（MBE）注1）・物理蒸着法（PVD）注2）で原子状酸素密度を従来比2倍に向上。・HD-ORSを用いたMBEで、300℃、1µm/hにて次世代パワー化合物半導体注3）である酸化ガリウム（Ga₂O₃）注4）の高速ホモエピタキシャル成長注5）を実現。・PVDにおいてもHD-ORSを活用することにより、1µm/h超の高速成長で安定した（001）面ホモエピタキシャル膜を実現。...

・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...

・有機リン化合物によるn型化注1）の実現 ： リン化合物の電子供与により、単層カーボンナノチューブ注2）（SWCNT）を安定的にn型化。フェルミ準位注3）上昇と近赤外吸収変化で電子注入を実証。・フラーレン誘導体（PCBM）による界面改善 ： 絶縁性残さを除去し、ペロブスカイト層との接触を改善。電子移動度が2倍以上に向上し、変換効率8.03%を達成。・優れた耐久性と疎水性による安定化 ： ドーピング注4）による撥水性向上で、無封止でも500時間後に効率50%を保持。金属電極を超える安...

・物理空間中にあたかも「ナノ機械」が存在するかのように出現させることに成功。・任意の時刻と場所に、二次元ナノ材料のサイズ分別をする「マイクロ流体デバイス」を生成し、酸化グラフェン注1）のサイズ分別と操作を実証した。・呈示する電場パターンの設計により、電気浸透流注2）と電気泳動注3）の同時制御が行われ、二次元ナノ材料のサイズ分画の機能が出現する。・モノを作製せずとも、情報空間から物理空間に「ナノ機械」の機能を出現させられる。 ◆詳細（プレスリリース本文）は...

・世界最薄（厚さ0.3 mm）の熱輸送デバイス「ループヒートパイプ（UTLHP）」を開発。・1 cm2あたり10 Wの高熱フラックスに対応し、全方向で安定動作。・スマートフォンなどの次世代小型・薄型電子機器の放熱デバイスとして期待。 ◆詳細（プレスリリース本文）は...