・自然界には安定に存在しない構造を持つ2次元酸化鉄の作製に成功しました。・2次元物質のグラフェンと3次元物質のSiCの界面に鉄と酸素を導入する新たな手法により、この2次元酸化鉄作製を実現しました。・スピントロニクスデバイスなどへの応用が期待され、さらに他の2次元遷移金属酸化物に展開することによって新たな量子物性の開拓につながる可能性があります。 早稲田大学の乗松航（のりまつ わたる）教授、物質・材料研究機構（NIMS）の榊原涼太郎（さかきばら りょうたろう）博士（研究当時名古屋大学所属）、日本原子力研究開発機構の寺澤知潮（てらさわ ともお）...

・高密度酸素ラジカル源（HD-ORS）を開発し、分子線エピタキシー（MBE）注1）・物理蒸着法（PVD）注2）で原子状酸素密度を従来比2倍に向上。・HD-ORSを用いたMBEで、300℃、1µm/hにて次世代パワー化合物半導体注3）である酸化ガリウム（Ga₂O₃）注4）の高速ホモエピタキシャル成長注5）を実現。・PVDにおいてもHD-ORSを活用することにより、1µm/h超の高速成長で安定した（001）面ホモエピタキシャル膜を実現。...

・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...

株式会社オキサイドパワークリスタル（本社：山梨県北杜市、代表取締役社長：古川 保典）、Mipox株式会社（本社：栃木県鹿沼市、代表取締役社長：渡邉 淳）、株式会社UJ-Crystal（本社：愛知県名古屋市、代表取締役社長：宇治原 徹）、アイクリスタル株式会社（本社：愛知県名古屋市、代表取締役：髙石 将輝）、国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター（チーム長：児島 一聡）、ならびに国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学 未来材料・システム研究所（教授：宇治原 徹）の開発グループは、名古屋大学で長年培われた溶液成長法のシーズ技術を...

・次世代パワー化合物半導体注1）酸化ガリウム(Ga2O3)注2）のp型制御技術に成功。・デバイスを製造する上でコスト、設計に有利なイオン注入法で実現した。・Ni（ニッケル）をイオン注入し、二段階熱処理法を適用してp型NiO膜を形成。・既存のショットキーダイオードの2倍の電流が流れるバイポラーpnダイオードを実証。 名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの堀 勝 特任教授、 小田 修 特任教授と清水 尚博 特任教授らの研究グループは、次世代パ...

・IV族混晶半導体注1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注3)からなる二重障壁構造(DBS)注4)を、分子線エピタキシー（MBE）法で、従来よりも高品質にエピタキシャル成長する技術を新規に開発した。・GeSn層のエピタキシャル成長中にのみ水素（Ｈ₂）ガスを導入することで、平坦かつ急峻界面を有するGeSn/GeSiSn DBSの形成が可能であることを明らかにした。・高品質成長したGeSn/GeSiSn DBSを用いた共鳴トンネルダイ...