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研究キーワード：名古屋大学における「酸化ハフニウム」 に関係する研究一覧：1件
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発表日：2025年8月20日
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世界初成功！ハロゲンフリーのプラズマプロセスで 次世代半導体材料を原子レベルで微細に加工・制御
・ハロゲンフリープラズマ注１）を用いた原子層エッチング（ALE）注2）を開発した。・最先端半導体デバイスに用いられ、難エッチング材料である酸化ハフニウム(HfO₂)の異方性原子層エッチング注3）を室温で実現した。・SDGs（持続可能な開発目標）に向け、次世代半導体デバイスの実用化を支えるプラズマエッチング技術注4）の推進が期待される。 名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの蕭 世男(シャオ シーナン)特任教授 、堀 勝 特任教授らの研究グ...
キーワード：高エネルギー/ハロゲン/異方性/高周波/プラズマプロセス/反応機構/エッチング/原子層/プラズマエッチング/ゲート絶縁膜/トランジスタ/メモリ/半導体デバイス/半導体材料/微細化/誘電体/持続可能/持続可能な開発/強誘電体/酸化ハフニウム/スパッタリング/フッ素/機能性材料/持続可能性/半導体/微細加工/微細加工技術/機能性/表面構造/ラジカル
他の関係分野：数物系科学化学総合理工工学総合生物農学