・サブマイクロスケールで局所的な電気化学計測が可能な走査型電気化学セル顕微鏡（SECCM）（＊1）により、BiVO4マイクロ粒子内の結晶面選択的な光酸化反応活性の可視化に成功・光電極系において光酸化反応が{010}面（＊2）で優先的に進行することを解明・光電極における結晶面選択的な反応がキャリア移動度（＊3）に支配される可能性を示し、光電極の合理的な設計に向けた新たな指針を提示 名古屋工業大学物理工学類の平田海斗助教、名古屋大学大学院工学研究科の本田航大博士後期課程学生、同大学院工学研究科（兼 未来社会創造機構 量子化...

・次世代高記憶密度磁気デバイス材料として期待されるFePd薄膜において、高性能化に必要な「原子の整列（規則化）」と、材料が劣化する「膜の崩壊（デウェッティング）」が互いに競合するメカニズムを解明しました。・これまで性能低下が課題であった「魔の中間温度域（300～400℃）」において、積層欠陥やナノサイズの空隙が発生する原因を、理論計算と原子レベルの観察により明らかにしました。・この発見により、高品質なFePd薄膜を安定して製造するための「最適な温度と時間のレシピ」が明確になり、超高密度ストレージや省電力デバイスの実現が加速します。 富山大学...

・パルス電流を用いた高速・低エネルギー材料処理法を開発・結晶組織を非平衡的に制御※１し，チタン合金の靭性※2を大幅に向上・電流の非熱的効果※3を活用した新しい材料設計戦略に期待 熊本大学 先進マグネシウム国際研究センターの顧 少杰（グ シャオジェ）助教、同大学 大学院先端科学研究部の徳 悠葵教授および森田 康之教授、九州大学 大学院工学研究院の木村 康裕准教授、名古屋大学 大学院工学研究科の崔 羿（スイ イ）准教授、浙江大学の巨 陽（ジュ ヤン）主幹教授（熊本大学客員教授）ら...

・ハロゲンフリープラズマ注１）を用いた原子層エッチング（ALE）注2）を開発した。・最先端半導体デバイスに用いられ、難エッチング材料である酸化ハフニウム(HfO₂)の異方性原子層エッチング注3）を室温で実現した。・SDGs（持続可能な開発目標）に向け、次世代半導体デバイスの実用化を支えるプラズマエッチング技術注4）の推進が期待される。 名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの蕭　世男(シャオ シーナン)特任教授 、堀　勝　特任教授らの研究グ...