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名古屋大学 研究シーズDiscovery Saga
研究キーワード:名古屋大学における「微細化」 に関係する研究一覧:4
2次検索
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発表日:2026年5月28日
この記事は2026年6月11日号以降に掲載されます。
1
光電極における結晶面選択的な反応メカニズムを解明
― 合理的な光電極設計指針の確立に期待 ―
この記事は2026年6月11日号以降に掲載されます。
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発表日:2026年5月20日
この記事は2026年6月3日号以降に掲載されます。
2
原子の整列か、膜の崩壊か
― FePd磁性薄膜の相転移と形態進化を支配する結晶成長の法則を解明―
この記事は2026年6月3日号以降に掲載されます。
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発表日:2026年4月15日
3
電気を一瞬流すだけで金属が強くしなやかに
~数ミリ秒でチタン合金の限界を超える新加工法~
・パルス電流を用いた高速・低エネルギー材料処理法を開発・結晶組織を非平衡的に制御※1し,チタン合金の靭性※2を大幅に向上・電流の非熱的効果※3を活用した新しい材料設計戦略に期待 熊本大学 先進マグネシウム国際研究センターの顧 少杰(グ シャオジェ)助教、同大学 大学院先端科学研究部の徳 悠葵教授および森田 康之教授、九州大学 大学院工学研究院の木村 康裕准教授、名古屋大学 大学院工学研究科の崔 羿(スイ イ)准教授、浙江大学の巨 陽(ジュ ヤン)主幹教授(熊本大学客員教授)ら...
キーワード:パルス/非平衡/微細化/エネルギー消費/省エネ/熱力学/じん性/チタン/材料設計/相変態/チタン合金/マグネシウム/金属材料/航空機/自動車/省エネルギー/熱処理/関節/人工関節
他の関係分野:数物系科学工学
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発表日:2025年8月20日
4
世界初成功!ハロゲンフリーのプラズマプロセスで 次世代半導体材料を原子レベルで微細に加工・制御
・ハロゲンフリープラズマ注1)を用いた原子層エッチング(ALE)注2)を開発した。・最先端半導体デバイスに用いられ、難エッチング材料である酸化ハフニウム(HfO₂)の異方性原子層エッチング注3)を室温で実現した。・SDGs(持続可能な開発目標)に向け、次世代半導体デバイスの実用化を支えるプラズマエッチング技術注4)の推進が期待される。 名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの蕭 世男(シャオ シーナン)特任教授 、堀 勝 特任教授らの研究グ...
キーワード:高エネルギー/ハロゲン/異方性/高周波/プラズマプロセス/反応機構/エッチング/原子層/プラズマエッチング/ゲート絶縁膜/トランジスタ/メモリ/半導体デバイス/半導体材料/微細化/誘電体/持続可能/持続可能な開発/強誘電体/酸化ハフニウム/スパッタリング/フッ素/機能性材料/持続可能性/半導体/微細加工/微細加工技術/機能性/表面構造/ラジカル
他の関係分野:数物系科学化学総合理工工学総合生物農学