名古屋大学 研究シーズ|
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研究キーワード：名古屋大学における「光デバイス」 に関係する研究一覧：4件
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発表日：2026年5月25日
この記事は2026年6月8日号以降に掲載されます。
1
透明ナノシートで高感度・超小型光センサーを実現
宇宙・車載向け応用に期待、スマホカメラもさらに進化へ
この記事は2026年6月8日号以降に掲載されます。
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発表日：2026年5月20日
この記事は2026年6月3日号以降に掲載されます。
2
室温で波長1.55～3μmまで見える赤外光センサーを開発
家庭・医療・環境・食品産業など生活に近い場面への展開に期待
この記事は2026年6月3日号以降に掲載されます。
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発表日：2025年8月21日
3
スズ含有IV族混晶半導体を用いた量子効果デバイスの室温動作に成功
～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～
・IV族混晶半導体注1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注3)からなる二重障壁構造(DBS)注4)を、分子線エピタキシー（MBE）法で、従来よりも高品質にエピタキシャル成長する技術を新規に開発した。・GeSn層のエピタキシャル成長中にのみ水素（Ｈ₂）ガスを導入することで、平坦かつ急峻界面を有するGeSn/GeSiSn DBSの形成が可能であることを明らかにした。・高品質成長したGeSn/GeSiSn DBSを用いた共鳴トンネルダイ...
キーワード：無線通信/バンド構造/閉じ込め/高周波/テラヘルツ/検出器/赤外線/赤外線検出器/太陽/トンネル電流/III-V族化合物半導体/SiGe/エピタキシャル成長/テラヘルツ波/バンドギャップ/ヘテロ界面/共鳴トンネル/共鳴トンネルダイオード/共鳴トンネル効果/光デバイス/電子デバイス/半導体デバイス/半導体材料/分子線エピタキシー(MBE)/量子効果デバイス/量子閉じ込め/エピタキシー/エピタキシャル/ゲルマニウム/太陽電池/電池/SiC/シリコン/トンネル/トンネル効果/パワーエレクトロニクス/化合物半導体/集積回路/半導体/量子効果/結晶構造/水素ガス
他の関係分野：情報学数物系科学総合理工工学農学
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発表日：2025年7月4日
4
生体内で強い発光と低毒性を両立する量子ドットを開発
未開拓の硫化銀ゲルマニウム半導体をナノサイズ化・組成制御／世界初の高輝度量子ドット合成と生体イメージング応用に成功
・量子ドット注1）は、強く安定な発光を示すナノ発光プローブとして2023年にノーベル化学賞を受賞して注目されたが、ディスプレイや太陽電池などと比較して、生体イメージング用途の開発は遅れていた。・硫化銀ゲルマニウム半導体（Ag8GeS6）は、天然鉱物（アルジロダイト）としても存在する安定な材料であり、近赤外波長領域の光をよく吸収し、太陽電池材料として注目されている。しかし、これまで室温での発光は全く報告されておらず、発光特性は未開拓な材料である。・本研究ではAg2Sにゲルマニウム（G...
キーワード：閉じ込め/近赤外/太陽/ディスプレイ/ナノマテリアル/物理化学/光機能/ナノ結晶/バンドギャップ/光デバイス/光吸収/赤外光/量子サイズ効果/発光ダイオード（LED）/量子ドット/ゲルマニウム/サイズ効果/太陽電池/電池/センサー/ナノサイズ/ナノ粒子/環境負荷/光センサー/光プローブ/半導体/生体内/光イメージング/生体イメージング/臨床応用/バイオイメージング/プローブ/マウス/近赤外光
他の関係分野：数物系科学化学工学総合生物