名古屋大学 研究シーズ|
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研究キーワード：名古屋大学における「分子線エピタキシー(MBE)」 に関係する研究一覧：2件
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発表日：2026年3月13日
この記事は2026年3月27日号以降に掲載されます。
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次世代パワー半導体"最有力素材"の新規技術を確立
～世界初「酸化ガリウム」成長技術でEV、再エネ、宇宙開発を加速～
この記事は2026年3月27日号以降に掲載されます。
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発表日：2025年8月21日
2
スズ含有IV族混晶半導体を用いた量子効果デバイスの室温動作に成功
～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～
・IV族混晶半導体注1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注3)からなる二重障壁構造(DBS)注4)を、分子線エピタキシー（MBE）法で、従来よりも高品質にエピタキシャル成長する技術を新規に開発した。・GeSn層のエピタキシャル成長中にのみ水素（Ｈ₂）ガスを導入することで、平坦かつ急峻界面を有するGeSn/GeSiSn DBSの形成が可能であることを明らかにした。・高品質成長したGeSn/GeSiSn DBSを用いた共鳴トンネルダイ...
キーワード：無線通信/バンド構造/閉じ込め/高周波/テラヘルツ/検出器/赤外線/赤外線検出器/太陽/トンネル電流/III-V族化合物半導体/SiGe/エピタキシャル成長/テラヘルツ波/バンドギャップ/ヘテロ界面/共鳴トンネル/共鳴トンネルダイオード/共鳴トンネル効果/光デバイス/電子デバイス/半導体デバイス/半導体材料/分子線エピタキシー(MBE)/量子効果デバイス/量子閉じ込め/エピタキシー/エピタキシャル/ゲルマニウム/太陽電池/電池/SiC/シリコン/トンネル/トンネル効果/パワーエレクトロニクス/化合物半導体/集積回路/半導体/量子効果/結晶構造/水素ガス
他の関係分野：情報学数物系科学総合理工工学農学