・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...

アイクリスタル株式会社（代表取締役：髙⽯ 将輝／取締役 技術統括：関 翔太）、グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社（研究代表者、参事：永井 勇太）、国⽴⼤学法⼈東海国⽴⼤学機構 名古屋⼤学 未来材料・システム研究所（教授：宇治原 徹／准教授：沓掛健太朗）、ならびにソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社（主幹技師：⾕川 公⼀／永倉 ⼤樹）の研究グループは、仮想空間上に構築したデジタルツインを接続して⾼速に最適化するプロセス全体最適化プラットフォーム「メタファクトリー」を⽤いて Si ウェーハ製造から CMOS イメージセンサー（CIS）製造まで合計 30 ⼯程を⼀気通貫で最適化し...

・Siウェーハ製造からCIS注1）製造までの一貫したプロセス全体最適化を行った。・各製造プロセスのデジタルツイン注2）を接続して、仮想空間上で高速に最適化。・企業横断のためのプラットフォーム（メタファクトリー）を構築した。 ◆詳細（プレスリリース本文）は...