名古屋大学 研究シーズ|
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研究キーワード：名古屋大学における「有機金属」 に関係する研究一覧：3件
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発表日：2026年5月3日
1
廃PETからMOFを直接合成する新技術を開発
高収率81.7％を達成、CO2吸着の産業応用へ大きく前進
・廃PET（ポリエチレンテレフタレート）注1）ボトルを分解・精製せずに直接「有機金属構造体（MOF）」注2）へ変換する手法を開発。・短時間で最大81.7%の高収率合成を達成。・アミン修飾注3）によりCO2吸着注4）性能を向上。 名古屋大学大学院環境学研究科のKayee Chan（カイー チャン）博士（現：香港理工大学）、ジンチェンコ アナトーリ准教授、名古屋大学大学院工学研究科の川尻 喜章 教授、Frantisek Miksik(フランティシェク ミクシ...
キーワード：温室効果ガス/温室効果/ポリエチレンテレフタレート/有機金属/クロム/アミン/金属有機構造体/ポリエチレン/細孔構造/プラスチック/金属イオン/二酸化炭素/二酸化炭素/比表面積/エチレン/配位子
他の関係分野：環境学数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2026年1月22日
2
次世代半導体MoS2の革新的ウエハースケール成膜技術を開発
――結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成――
・MOCVD法を用いて、サファイア基板上のMoS2結晶粒が自己整合して単結晶化する革新的な成長メカニズムを発見。・独自のプリカーサ選択により、成膜反応が単層厚さで自動停止する新たな現象を見いだし、2インチサイズのウエハー全体にわたって均一で再現性の高い単層MoS2膜を実現。・2つの成膜メカニズムの相乗効果により高い電子移動度を達成。量産化を見据えたウエハースケールで高品質な単層MoS2単結晶膜の形成という産業界からの要請に応えるとともに、次世代サブ1 nmノード論理トランジスタ実現に向けた重要な一歩。...
キーワード：金属元素/高移動度/モリブデン/電子移動/有機金属化学/有機金属/前駆体/エピタキシャル成長/トランジスタ/パワーデバイス/ファンデルワールス力/大規模集積回路/電子デバイス/二硫化モリブデン/半導体デバイス/温度依存性/発光ダイオード（LED）/半導体産業/エピタキシャル/単結晶/レーザー/移動度/結晶化/結晶成長/酸化物/集積回路/低消費電力/半導体/結晶構造
他の関係分野：環境学化学総合理工工学農学
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発表日：2025年12月9日
3
AlN基板上AlN/GaN/AlN 薄膜トランジスタで高耐圧・低抵抗・電流不安定性解消を実証
～通信・レーダー向け高周波デバイスの性能向上に期待～
・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...
キーワード：ミリ波/先端技術/産学連携/結晶格子/コヒーレント/高周波/アンモニア/電子移動/有機金属/GaN/MOVPE/イメージセンサー/デバイスプロセス/トランジスタ/パワーデバイス/バンドギャップ/高電圧/窒化ガリウム/電子デバイス/薄膜トランジスタ/半導体デバイス/半導体材料/発光ダイオード（LED）/ドーピング/単結晶/SiC/アルミニウム/シリコン/センサー/トラップ/マイクロ/マイクロ波/移動度/化合物半導体/結晶成長/周波数/集積回路/窒化アルミニウム/熱伝導/熱伝導率/半導体/エネルギー変換/結晶構造
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学化学総合理工工学農学