・次世代パワー化合物半導体注1）酸化ガリウム(Ga2O3)注2）のp型制御技術に成功。・デバイスを製造する上でコスト、設計に有利なイオン注入法で実現した。・Ni（ニッケル）をイオン注入し、二段階熱処理法を適用してp型NiO膜を形成。・既存のショットキーダイオードの2倍の電流が流れるバイポラーpnダイオードを実証。 名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの堀 勝 特任教授、 小田 修 特任教授と清水 尚博 特任教授らの研究グループは、次世代パ...