名古屋大学 研究シーズ|
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研究キーワード：名古屋大学における「高周波」 に関係する研究一覧：3件
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発表日：2025年12月9日
1
AlN基板上AlN/GaN/AlN 薄膜トランジスタで高耐圧・低抵抗・電流不安定性解消を実証
～通信・レーダー向け高周波デバイスの性能向上に期待～
・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...
キーワード：ミリ波/先端技術/産学連携/結晶格子/コヒーレント/高周波/アンモニア/電子移動/有機金属/GaN/MOVPE/イメージセンサー/デバイスプロセス/トランジスタ/パワーデバイス/バンドギャップ/高電圧/窒化ガリウム/電子デバイス/薄膜トランジスタ/半導体デバイス/半導体材料/発光ダイオード（LED）/ドーピング/単結晶/SiC/アルミニウム/シリコン/センサー/トラップ/マイクロ/マイクロ波/移動度/化合物半導体/結晶成長/周波数/集積回路/窒化アルミニウム/熱伝導/熱伝導率/半導体/エネルギー変換/結晶構造
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2025年8月21日
2
スズ含有IV族混晶半導体を用いた量子効果デバイスの室温動作に成功
～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～
・IV族混晶半導体注1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注3)からなる二重障壁構造(DBS)注4)を、分子線エピタキシー（MBE）法で、従来よりも高品質にエピタキシャル成長する技術を新規に開発した。・GeSn層のエピタキシャル成長中にのみ水素（Ｈ₂）ガスを導入することで、平坦かつ急峻界面を有するGeSn/GeSiSn DBSの形成が可能であることを明らかにした。・高品質成長したGeSn/GeSiSn DBSを用いた共鳴トンネルダイ...
キーワード：無線通信/バンド構造/閉じ込め/高周波/テラヘルツ/検出器/赤外線/赤外線検出器/太陽/トンネル電流/III-V族化合物半導体/SiGe/エピタキシャル成長/テラヘルツ波/バンドギャップ/ヘテロ界面/共鳴トンネル/共鳴トンネルダイオード/共鳴トンネル効果/光デバイス/電子デバイス/半導体デバイス/半導体材料/分子線エピタキシー(MBE)/量子効果デバイス/量子閉じ込め/エピタキシー/エピタキシャル/ゲルマニウム/太陽電池/電池/SiC/シリコン/トンネル/トンネル効果/パワーエレクトロニクス/化合物半導体/集積回路/半導体/量子効果/結晶構造/水素ガス
他の関係分野：情報学数物系科学総合理工工学農学
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発表日：2025年8月20日
3
世界初成功！ハロゲンフリーのプラズマプロセスで 次世代半導体材料を原子レベルで微細に加工・制御
・ハロゲンフリープラズマ注１）を用いた原子層エッチング（ALE）注2）を開発した。・最先端半導体デバイスに用いられ、難エッチング材料である酸化ハフニウム(HfO₂)の異方性原子層エッチング注3）を室温で実現した。・SDGs（持続可能な開発目標）に向け、次世代半導体デバイスの実用化を支えるプラズマエッチング技術注4）の推進が期待される。 名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの蕭 世男(シャオ シーナン)特任教授 、堀 勝 特任教授らの研究グ...
キーワード：高エネルギー/ハロゲン/異方性/高周波/プラズマプロセス/反応機構/エッチング/原子層/プラズマエッチング/ゲート絶縁膜/トランジスタ/メモリ/半導体デバイス/半導体材料/微細化/誘電体/持続可能/持続可能な開発/強誘電体/酸化ハフニウム/スパッタリング/フッ素/機能性材料/持続可能性/半導体/微細加工/微細加工技術/機能性/表面構造/ラジカル
他の関係分野：数物系科学化学総合理工工学総合生物農学