・磁性材料に加える「ひずみ」注1）を層ごとに変えることで、これまでにない新しい磁気相互作用を生み出せることを実証。・材料そのものを替えることなく、機械的な変形だけで磁石の性質を設計・制御する新たな手法を提案。・次世代の超低消費電力メモリやスピントロニクス注2）デバイスの実現につながる、特殊な磁気構造（スキルミオン注3））の生成・制御への応用が期待。 名古屋大学大学院工学研究科の岩田 悠楽（学部生・当時）、古牧 怜寿 博士前期課程学生、林 兼輔 助教、飯浜 賢志 准教授、森山 ...

・Tsai型近似結晶において、従来用いられてきた価電子濃度（e/a）よりも、格子定数の方が、元素の種類や化学組成を超えて磁気基底状態を統一的に記述できる指標であることを明らかにしました。・Tb、Dy、Hoを含む多数のTsai型化合物を系統的に調べた結果、格子定数が約14.72 Åを超えると反強磁性、約14.62 ~ 14.72 Åでは強磁性、それより小さい領域ではスピングラスとなる共通の磁気相図を見いだしました。・本成果は、これまで試行錯誤に頼る部分が大きかった準結晶・近似結晶の物質探索に、格子定数という明瞭な設計指針を与えるものであり、反強磁性...