名古屋大学 研究シーズ|
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研究キーワード：名古屋大学における「バンド構造」 に関係する研究一覧：3件
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発表日：2026年3月3日
1
世界初、超高性能熱電半金属に潜む「プラズモニックポーラロン」を直接観測
－半金属は熱電材料にならないという常識を覆す－
・半金属1)でありながら極めて高い熱電性能を示すTa₂PdSe₆の電子構造を直接観測しました。・電子が集団的電荷振動と結合した新しい準粒子「プラズモニックポーラロン」2)を発見しました。・電子と正孔3)の性質の違いが、半金属の高性能熱電変換を生むことを明らかにしました。 岡山大学学術研究院先鋭研究領域（異分野基礎科学研究所）の大槻太毅准教授と名古屋大学大学院理学研究科の中埜彰俊助教（現：同大学大学院工学研究科講師）、寺崎一郎教授、京都大学大学院人間・環境学研究科の吉田鉄平教...
キーワード：バンド構造/角度分解光電子分光/光電子分光/高エネルギー/準粒子/加速器/放射光/電子分光/クリーンエネルギー/プラズモン/ポーラロン/半金属/電子構造/電子状態/熱電材料/熱電変換/半導体/寿命
他の関係分野：数物系科学工学
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発表日：2025年11月6日
2
サブナノ厚みを自在に操る：二次元シリカの新合成戦略 新規特性も発現、水解離触媒などの材料設計指針に
・固相界面活性剤注1)を鋳型として利用し、非層状化合物であるアモルファス注2)シリカナノシート注3)の厚みを1ナノメートル（ナノは10億分の1）より薄い精度で制御することに成功。・得られたナノシートは高い均一性と分散安定性を示し、二次元稠密（ちゅうみつ）集積膜を用いてバンドギャップ注4)や絶縁破壊電圧、水解離反応の触媒活性の厚さ依存性を調査。・これまで水解離触媒として不活性だと考えられてきたアモルファスシリカが極薄膜化することで高性能な触媒となることを発見。・地殻中に豊富に存...
キーワード：バンド構造/水分子/アニオン/両親媒性/二次元材料/カルコゲナイド/材料科学/遷移金属/層状化合物/バンドギャップ/ポリエチレン/選択性/遷移金属カルコゲナイド/アモルファス/ナノシート/材料設計/電子状態/電池/燃料電池/グラフェン/シリカ/ナノメートル/ナノ材料/界面活性剤/酸化物/二酸化炭素/エチレン/エネルギー変換/結晶構造/レドックス/カチオン/官能基/分子設計
他の関係分野：数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2025年8月21日
3
スズ含有IV族混晶半導体を用いた量子効果デバイスの室温動作に成功
～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～
・IV族混晶半導体注1)ゲルマニウム錫(スズ)（GeSn）注2)およびゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）注3)からなる二重障壁構造(DBS)注4)を、分子線エピタキシー（MBE）法で、従来よりも高品質にエピタキシャル成長する技術を新規に開発した。・GeSn層のエピタキシャル成長中にのみ水素（Ｈ₂）ガスを導入することで、平坦かつ急峻界面を有するGeSn/GeSiSn DBSの形成が可能であることを明らかにした。・高品質成長したGeSn/GeSiSn DBSを用いた共鳴トンネルダイ...
キーワード：無線通信/バンド構造/閉じ込め/高周波/テラヘルツ/検出器/赤外線/赤外線検出器/太陽/トンネル電流/III-V族化合物半導体/SiGe/エピタキシャル成長/テラヘルツ波/バンドギャップ/ヘテロ界面/共鳴トンネル/共鳴トンネルダイオード/共鳴トンネル効果/光デバイス/電子デバイス/半導体デバイス/半導体材料/分子線エピタキシー(MBE)/量子効果デバイス/量子閉じ込め/エピタキシー/エピタキシャル/ゲルマニウム/太陽電池/電池/SiC/シリコン/トンネル/トンネル効果/パワーエレクトロニクス/化合物半導体/集積回路/半導体/量子効果/結晶構造/水素ガス
他の関係分野：情報学数物系科学総合理工工学農学