金沢大学 研究シーズ|
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研究キーワード：金沢大学における「半導体デバイス」 に関係する研究一覧：1件
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発表日：2025年5月30日
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世界初！完全原子的平坦ダイヤモンド表面をMOS 界面に用いたダイヤモンド MOSFET の作製に成功
金沢大学ナノマテリアル研究所の德田規夫教授、自然科学研究科電子情報科学専攻博士後期課程／卓越大学院の小林和樹らの研究グループは、産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの牧野俊晴研究チーム長、ドイツ Diamond and Carbon Applications のクリストフ E. ネーベル CEO（本学招へい教授）との共同研究により、世界で初めて完全に平坦なダイヤモンド表面を MOS 界面（※1）に有するダイヤモンドMOSFET(※2)を作製することに成功しました。 カーボンニュートラル実現のための一つの手段として、ワイドバンドギャップ半導体を用いた高効率な電力制御...
キーワード：電力制御/ナノマテリアル/表面・界面/MOSFET/キャリア/トランジスタ/パワーデバイス/バンドギャップ/酸化膜/電界効果トランジスタ/半導体デバイス/力制御/カーボンニュートラル/電界効果/カーボン/界面制御/パワーエレクトロニクス/移動度/熱伝導/熱伝導率/半導体/光学顕微鏡
他の関係分野：情報学化学総合理工工学総合生物