横浜国立大学は、本学の研究者がJST戦略的創造研究推進事業（CREST・さきがけ・ACT-X）に採択されたことをお知らせいたします。（CREST 1件、さきがけ 2件、ACT-X 1件）本学では、次世代研究の中核となる研究グループ形成に対する重点的な支援や、若手研究者の多様な研究活動を支援してまいりました。今後もこれらの取組のさらなる充実を図り、優秀な研究者の育成と先端的研究の推進を通じて、学術の発展と社会課題の解決に一層貢献してまいります。採択者および採択課題は以下のとおりです。●CREST...

横浜国立大学 総合学術高等研究院 半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター ヘテロ集積研究拠点長 井上 史大准教授とそのチームは、株式会社KOKUSAI ELECTRICとの共同研究により、高熱伝導な新規接合材料「ALD-Al₂O₃」を用いた300mmウェーハの成膜、そのキャリア接合界面への応用に成功しました。本研究は、次世代の半導体3Dデバイス構造に不可欠な「Backside Power Delivery Network（BSPDN）」や「Reconstructed Die-to-Wafer（D2W）Hybrid Bonding」への適応を目指しており、従来材料での熱拡散性...