横浜国立大学 総合学術高等研究院 半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター ヘテロ集積研究拠点長 井上 史大准教授とそのチームは、株式会社KOKUSAI ELECTRICとの共同研究により、高熱伝導な新規接合材料「ALD-Al₂O₃」を用いた300mmウェーハの成膜、そのキャリア接合界面への応用に成功しました。本研究は、次世代の半導体3Dデバイス構造に不可欠な「Backside Power Delivery Network（BSPDN）」や「Reconstructed Die-to-Wafer（D2W）Hybrid Bonding」への適応を目指しており、従来材料での熱拡散性...