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研究キーワード：東京科学大学における「不揮発性メモリ」 に関係する研究一覧：5件
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発表日：2025年11月1日
1
0.2 Vの超低電圧でデータを保持できる新しいCMOSメモリ技術を開発
不揮発メモリを使わずに待機時電力を大幅に削減
東京科学大学（Science Tokyo）総合研究院 未来産業技術研究所の菅原聡准教授、塩津勇作研究員、工学院 電気電子系の伊藤克俊大学院生（研究当時）は、超低電圧でSRAMのノイズ耐性を大幅に向上できる新たなインバータを提案し、これを用いて新しいSRAMのメモリセルを開発しました。SRAMは、マイクロプロセッサや...
キーワード：アクセラレータ/ハードウェア/プロセッサ/マイクロプロセッサ/モバイル/ニューラルネットワーク/モノのインターネット（IoT）/最適化/人工知能（AI）/並列化/PBL/ノイズ/モンテカルロシミュレーション/CMOS/トランジスタ/メモリ/環境発電/不揮発メモリ/エネルギー効率/不揮発性メモリ/ヒステリシス/インバータ/シミュレーション/ニューラルネット/フィードバック/マイクロ/レイアウト/最適設計/集積回路/大規模シミュレーション/半導体
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学工学
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発表日：2025年6月23日
2
“エントロピー効果”により新規強誘電体窒化物を発見
低消費電力メモリや圧電センサ等への応用に期待
東京科学大学（Science Tokyo、旧東京工業大学） 物質理工学院 材料系の大田怜佳氏（当時修士課程2年）、岡本一輝助教、舟窪浩教授、東ソー株式会社の召田雅実氏らは、窒化アルミニウム（AlN）と窒化ガリウム（GaN）を合金化することによって、従来よりスカンジウム（Sc）元素を多く結晶に取り混んだ膜が作製可能なことを世界で初めて見出しました。さらに、スカンジウム（Sc）を多く含むことによって、メモリ動作の低電圧化・劇的な低消費電力化が実現できることを発見しました。青色LEDで使用されている窒化アルミニウム（AlN）と窒化ガリウム（GaN）は、結晶のプラスとマイ...
キーワード：低消費電力化/モノのインターネット（IoT）/検索システム/結晶格子/電気分極/誘電性/エントロピー/ノイズ/高周波/圧電性/トンネル電流/強誘電性/磁性体/元素戦略/GaN/メモリ/強誘電体薄膜/高電圧/絶縁体/窒化ガリウム/電気光学効果/誘電体/誘電率/ICカード/発光ダイオード（LED）/誘電特性/サイズ効果/圧電体/強誘電体/酸化ハフニウム/単結晶/窒化物/不揮発性メモリ/アルミニウム/スパッタリング/センサー/トンネル/ナノサイズ/ナノスケール/ナノメートル/ひずみ/高効率化/酸化物/耐久性/窒化アルミニウム/低消費電力/熱処理/半導体/機能性/結晶構造/構造変化/スマートフォン
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2025年5月28日
3
強磁性半導体の世界最高のキュリー温度を実現
スピン機能半導体デバイスの実現へ前進
東京科学大学（Science Tokyo）工学院 電気電子系のファム・ナムハイ教授、江尻航汰大学院生、高林健太大学院生（研究当時）と東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻の田中雅明教授の研究チームは、強磁性半導体 (Ga,Fe) Sbにおける世界最高のキュリー温度 530 K（257℃）を達成しました。強磁性半導体は半導体と磁性体の両方の特徴を有する材料で、半導体デバイスと磁性デバイスの機能性を融合するスピン機能半導体デバイスの実現に寄与すると期待されています。強磁性半導体は半導体材料に磁性元素を添加することによって、磁性を発現させることができます。従来研究さ...
キーワード：検索システム/結晶格子/トポロジカル絶縁体/バンド構造/磁気抵抗/電子線回折/円二色性/波動関数/ナノ電子デバイス/トポロジカル/円偏光/強磁性金属/原子層/磁気モーメント/磁気抵抗効果/磁性体/電子線/表面拡散/磁気円二色性/反射率/マンガン/GaSb/III-V族半導体/MRAM/エピタキシャル成長/キャリア/キャリア誘起強磁性/スピンデバイス/スピン注入/スピン流/デバイスプロセス/バッファー層/バンドギャップ/メモリ/強磁性/強磁性半導体/光通信/磁化反転/磁性半導体/絶縁体/電子デバイス/半導体デバイス/半導体材料/エネルギー効率/光照射/エピタキシャル/強磁性体/磁気特性/磁性材料/単結晶/電界効果/不揮発性メモリ/スピン/スピントロニクス/トンネル/結晶成長/集積回路/耐久性/低消費電力/電子顕微鏡/半導体/論理回路/機能材料/カルス/機能性/結晶構造/結晶性
他の関係分野：複合領域数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2025年5月12日
4
強誘電体の自発分極による強磁性体の保磁力の変化を確認
次世代低消費電力磁気メモリの構築へ前進
東京科学大学 工学院 呉研特任助教、同 工学院 電気電子系 鬼村和志大学院生、角嶋邦之准教授および住友化学株式会社の小林宏之研究員らの研究チームは、住友化学次世代環境デバイス協働研究拠点において、強誘電体[用語1]AlScN と...
キーワード：エッジコンピューティング/プロセッサ/コンピューティング/AI/人工知能（AI）/検索システム/フリップ/磁気光学/磁気抵抗/異方性/磁場/磁気異方性/磁気異方性制御/磁性体/MRAM/カー効果/キャパシタ/キャリア/データストレージ/フリップフロップ/メモリ/強磁性/半導体デバイス/分極反転/誘電体/エネルギー効率/エネルギー消費/材料特性/半導体産業/強磁性体/強誘電体/磁気特性/垂直磁気異方性/窒化物/不揮発性メモリ/アルミニウム/コバルト/スピン/スピントロニクス/トンネル/積層構造/低消費電力/半導体/光学顕微鏡/ホウ素/層構造/寿命
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学総合理工工学総合生物農学
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発表日：2025年3月24日
5
新規ウルツ鉱構造の絶縁体物質の創生に成功
圧電体、強誘電体の材料群を飛躍的に増やす可能性を示唆
東京科学大学（Science Tokyo）※ 物質理工学院 材料系の影山壮太郎大学院生（修士2年）、岡本一輝助教、舟窪浩教授、横田紘子教授、米国のペンシルベニア州立大のVenkatraman Gopalan（ベンカタラマン・ゴパラン）教授、東北大学の平永良臣准教授、上智大学 理工学部の内田寛教授らは、二つの元素が存在する、ウルツ鉱構造窒化物において、圧電性[用語1]や...
キーワード：電気通信/AI/最適化/情報学/人工知能（AI）/情報通信/検索システム/産学連携/金属元素/誘電性/ノイズ/高周波/圧電性/トンネル電流/ラマン/強誘電性/磁性体/GaN/ナノデバイス/パワーデバイス/メモリ/強誘電体薄膜/高電圧/絶縁体/窒化ガリウム/誘電体/エネルギー消費/ICカード/LED/発光ダイオード（LED）/誘電特性/サイズ効果/圧電体/強誘電体/酸化ハフニウム/窒化物/不揮発性メモリ/アルミニウム/シリコン/トンネル/マイクロ/マグネシウム/酸化物/窒化アルミニウム/低消費電力/半導体/エネルギー変換/機能性/結晶構造/日常生活/スマートフォン
他の関係分野：情報学複合領域環境学数物系科学化学総合理工工学農学