東京科学大学 研究シーズ|
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研究キーワード：東京科学大学における「GaN」 に関係する研究一覧：2件
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発表日：2025年6月23日
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“エントロピー効果”により新規強誘電体窒化物を発見
低消費電力メモリや圧電センサ等への応用に期待
東京科学大学（Science Tokyo、旧東京工業大学） 物質理工学院 材料系の大田怜佳氏（当時修士課程2年）、岡本一輝助教、舟窪浩教授、東ソー株式会社の召田雅実氏らは、窒化アルミニウム（AlN）と窒化ガリウム（GaN）を合金化することによって、従来よりスカンジウム（Sc）元素を多く結晶に取り混んだ膜が作製可能なことを世界で初めて見出しました。さらに、スカンジウム（Sc）を多く含むことによって、メモリ動作の低電圧化・劇的な低消費電力化が実現できることを発見しました。青色LEDで使用されている窒化アルミニウム（AlN）と窒化ガリウム（GaN）は、結晶のプラスとマイ...
キーワード：低消費電力化/モノのインターネット（IoT）/検索システム/結晶格子/電気分極/誘電性/エントロピー/ノイズ/高周波/圧電性/トンネル電流/強誘電性/磁性体/元素戦略/GaN/メモリ/強誘電体薄膜/高電圧/絶縁体/窒化ガリウム/電気光学効果/誘電体/誘電率/ICカード/発光ダイオード（LED）/誘電特性/サイズ効果/圧電体/強誘電体/酸化ハフニウム/単結晶/窒化物/不揮発性メモリ/アルミニウム/スパッタリング/センサー/トンネル/ナノサイズ/ナノスケール/ナノメートル/ひずみ/高効率化/酸化物/耐久性/窒化アルミニウム/低消費電力/熱処理/半導体/機能性/結晶構造/構造変化/スマートフォン
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2025年3月24日
2
新規ウルツ鉱構造の絶縁体物質の創生に成功
圧電体、強誘電体の材料群を飛躍的に増やす可能性を示唆
東京科学大学（Science Tokyo）※ 物質理工学院 材料系の影山壮太郎大学院生（修士2年）、岡本一輝助教、舟窪浩教授、横田紘子教授、米国のペンシルベニア州立大のVenkatraman Gopalan（ベンカタラマン・ゴパラン）教授、東北大学の平永良臣准教授、上智大学 理工学部の内田寛教授らは、二つの元素が存在する、ウルツ鉱構造窒化物において、圧電性[用語1]や...
キーワード：電気通信/AI/最適化/情報学/人工知能（AI）/情報通信/検索システム/産学連携/金属元素/誘電性/ノイズ/高周波/圧電性/トンネル電流/ラマン/強誘電性/磁性体/GaN/ナノデバイス/パワーデバイス/メモリ/強誘電体薄膜/高電圧/絶縁体/窒化ガリウム/誘電体/エネルギー消費/ICカード/LED/発光ダイオード（LED）/誘電特性/サイズ効果/圧電体/強誘電体/酸化ハフニウム/窒化物/不揮発性メモリ/アルミニウム/シリコン/トンネル/マイクロ/マグネシウム/酸化物/窒化アルミニウム/低消費電力/半導体/エネルギー変換/機能性/結晶構造/日常生活/スマートフォン
他の関係分野：情報学複合領域環境学数物系科学化学総合理工工学農学