東京大学 研究シーズ|
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研究キーワード：東京大学における「窒化アルミニウム」 に関係する研究一覧：3件
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発表日：2026年5月25日
1
耐圧kV級GaN光伝導型スイッチの動作実証に成功
―再生可能エネルギーにおける電力変換用途に期待―
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻の前田 拓也 講師らの研究グループ、三菱ケミカル株式会社は、耐圧kV級のGaNの光伝導型スイッチ（PCSS）の動作実証に成功しました。本研究では、Mn添加された半絶縁性GaNバルク基板に対し、Siイオン注入により局所的にn型領域を形成し、その上にオーミック電極を形成した構造を用いました。紫外光を照射することで大きな光電流が得られ、その光電流の輸送メカニズムを明らかにしました。同時に作製したFe/C共添加された半絶縁性GaN基板上のPCSSと比較して約40倍大きい光電流が得られており、Mnを用いる有用性を示した点に新規性があります。また、...
キーワード：効果測定/システムデザイン/再生可能エネルギー/低炭素社会/パルス/光伝導/電子散乱/非線形/ノイズ/高周波/太陽/電子移動/太陽光/ワイドギャップ半導体/光電流/マンガン/EMI/GaN/キャリア/トランジスタ/パルスパワー/レンズ/光吸収/高電圧/窒化ガリウム/窒化物半導体/電力変換/半導体デバイス/持続可能/省エネ/低炭素/光照射/窒化物/アルミニウム/イオン注入/パワーエレクトロニクス/移動度/高効率化/省エネルギー/新エネルギー/制御システム/窒化アルミニウム/二酸化炭素/熱処理/半導体/微細加工/風力発電/表面構造
他の関係分野：複合領域環境学数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2026年5月25日
2
超低損失AlN系ショットキーバリアダイオードの試作に成功
―低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体の実現に向け大きく前進―
東京大学（所在地：東京都文京区、総長：藤井 輝夫、以下、東京大学）大学院工学系研究科電気系工学専攻の佐々木 一晴 大学院生、前田 拓也 講師、NTT株式会社（本社：東京都千代田区、代表取締役社長：島田 明、以下、NTT）は、超低損失なAlN系ショットキーバリアダイオード（SBD）の試作実証に成功しました。本研究では、分布型分極ドーピング（DPD）を活用した組成傾斜AlGaN耐圧維持層、ヘテロ界面の抵抗を低減するAlGaN中間層、AlN/AlGaN超格子（注4）による電流拡散層を有するAlN系SBDを作製しました。作製した素子は、AlN系デバイスの中で世界最小のオン抵抗...
キーワード：ベンチマーク/低炭素社会/バンド構造/仕事関数/電子散乱/高周波/数値計算/トレードオフ/エッチング/ワイドギャップ半導体/有機金属/MOVPE/キャリア/トランジスタ/パワーデバイス/バンドギャップ/ヘテロ界面/界面物性/光デバイス/窒化物半導体/超格子/電力変換/半導体デバイス/持続可能/省エネ/低炭素/ドーピング/窒化物/SiC/アルミニウム/ナノメートル/モーター/結晶成長/自動車/周波数/省エネルギー/窒化アルミニウム/電気自動車/導電性/半導体/結晶構造
他の関係分野：情報学環境学数物系科学生物学総合理工工学農学
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発表日：2025年7月8日
3
新規窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明
―高周波GaNトランジスタの性能向上に道筋―
東京大学大学院工学系研究科の前田拓也講師、中根了昌特任准教授、久保田航瑛大学院生、若本裕介大学院生と住友電気工業株式会社は、新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子ガスの散乱機構を明らかにしました。本研究では、分子線エピタキシー（MBE）を用いて、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガリウム（GaN）の高品質なヘテロ接合を成長させ、そのヘテロ界面に誘起される二次元電子ガス（2DEG）の散乱機構が界面ラフネス散乱であることを明らかにしました。2DEGが高密度であるため、伝導帯の非放物線性による有効質量の増大（注4）を考慮する必要があることを指摘...
キーワード：衛星通信/無線通信/効果測定/低炭素社会/電子散乱/電子線回折/有効質量/誘電性/X線回折/ホール効果/高周波/輸送特性/衛星/数値計算/高移動度/圧電性/電子移動/強誘電性/原子層/電子線/電子輸送/ACT/接合界面/超高真空/電子物性/電子輸送特性/GaN/エピタキシャル成長/キャリア/トランジスタ/バンドギャップ/フォノン/ヘテロ界面/メモリ/酸化膜/窒化ガリウム/窒化物半導体/超格子/電子デバイス/半導体デバイス/不揮発メモリ/分子線エピタキシー(MBE)/低炭素/温度依存性/エピタキシー/エピタキシャル/ドーピング/窒化物/電界効果/AFM/SiC/アルミニウム/移動度/化合物半導体/携帯電話/結晶成長/原子間力顕微鏡/弾性波/窒化アルミニウム/半導体/量子井戸
他の関係分野：情報学複合領域環境学数物系科学化学総合理工工学