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研究キーワード:東京大学における「界面制御」 に関係する研究一覧:1件
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発表日:2026年4月10日
この記事は2026年4月24日号以降に掲載されます。
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水素終端ゲルマニウム層状半導体(ゲルマナン)において記録的な正孔移動度を達成
──2D/3D同一元素ヘテロ界面による新たな材料開発の指針──
この記事は2026年4月24日号以降に掲載されます。
東京大学 研究シーズ