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研究キーワード:東京大学における「ワイドギャップ半導体」 に関係する研究一覧:2件
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発表日:2026年5月25日
この記事は2026年6月8日号以降に掲載されます。
1
耐圧kV級GaN光伝導型スイッチの動作実証に成功
―再生可能エネルギーにおける電力変換用途に期待―
この記事は2026年6月8日号以降に掲載されます。
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発表日:2026年5月25日
この記事は2026年6月8日号以降に掲載されます。
2
超低損失AlN系ショットキーバリアダイオードの試作に成功
―低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体の実現に向け大きく前進―
この記事は2026年6月8日号以降に掲載されます。
東京大学 研究シーズ