東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻の長汐晃輔教授らの研究グループは、物質・材料研究機構（NIMS）および名古屋大学との共同研究により、有機金属化学気相成長法（MOCVD法、注1）でサファイア基板上に成長した単結晶MoS2（二硫化モリブデン）において、本来のトランジスタ特性（電流の明確なオン・オフ動作）が出ないという性能低下の要因が、界面に残存する硫酸基・水分子由来種による“隠れた電子ドーピング”であることを解明しました。本研究では、この問題を解決するため、デバイス加工（パターン形成）後にH2/Arアニールを行う「完全ドライ界面制御...