産業技術総合研究所 研究先端ロジック半導体のゲート絶縁膜の新技術を開発
－界面層の薄層化とダイポール層への新規材料の導入によりトランジスタの性能向上へ－
【注目の成果：共同研究・産学連携のためのチェックポイント】
 | 高度なAI技術をより低消費電力で利用できるようになると期待 |
【産学連携対象 全学共通分野 Discovery Saga】
【Sagaキーワード】
発表・掲載日：2026/06/09
ポイント
ゲート絶縁膜に含まれるシリコン酸化膜界面層を一原子層に匹敵する0.2 nmまで薄層化に成功ゲート絶縁膜に含まれるダイポール層への新規材料の導入によりしきい値電圧の設定自由度を向上
ゲートオールアラウンド構造トランジスタの微細化と動作条件（処理速度優先と省消費電力優先）の精密な制御が可能に