反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測

－次世代高密度・超高速磁気メモリの開発に貢献－

2026年4月20日
東京大学
JSR株式会社
京都大学
東京都立大学
東北大学
理化学研究所
科学技術振興機構（JST）

概要

東京大学 大学院理学系研究科 物理学専攻の田中 克大 特任助教（研究当時）、見波 将 特任助教（研究当時）、中辻 知 教授、有田 亮太郎 教授（兼：理化学研究所 創発物性科学研究センター チームディレクター）、JSR株式会社 RDテクノロジー・デジタル変革センターの栂 裕太 主事、東京都立大学 大学院理学研究科 物理学専攻の野本 拓也 准教授、東北大学 大学院理学研究科 物理学専攻の是常 隆 教授は、第一原理計算を用いて、ノンコリニア反強磁性体Mn₃Snと酸化マグネシウムを組み合わせた磁気トンネル接合（MTJ）を設計し、巨大なトンネル磁気抵抗（TMR）効果が現れることを理論的に予測しました。この成果は、反強磁性トンネル接合デバイスの設計開発の指針となり、将来的に超高速・低消費電力で動作する高密度な不揮発性磁気メモリの開発につながることが期待されます。
詳細は東京大学 大学院理学系研究科・理学部のホームページをご覧ください。

原論文情報

DOI :10.1103/xt7z-sf3x

報道担当

理化学研究所 広報部 報道担当
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