京都大学 研究反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測
―次世代高密度・超高速磁気メモリの開発に貢献―
【注目の成果：共同研究・産学連携のためのチェックポイント】
 | 高密度・超高速・低消費電力で動作する磁気メモリの開発の設計指針となることが期待 |
【産学連携対象 全学共通分野 Discovery Saga】
【Sagaキーワード】
磁気抵抗/反強磁性/反強磁性体/酸化マグネシウム/トポロジカル/トポロジカル物質/磁気抵抗効果/磁性体/トンネル磁気抵抗効果/メモリ/強磁性/強磁性トンネル接合/強磁性体/トンネル/マグネシウム/第一原理/第一原理計算/低消費電力
概要
機械理工学専攻の見波 将 助教は、東京大学大学院理学系研究科物理学専攻の田中克大特任助教（研究当時）、中辻知教授、有田亮太郎教授（兼：理化学研究所創発物性科学研究センター チームディレクター）、JSR株式会社RDテクノロジー・デジタル変革センターの栂裕太主事、東京都立大学大学院理学研究科物理学専攻の野本拓也准教授、東北大学大学院理学研究科物理学専攻の是常隆教授は、第一原理計算を用いて、ノンコリニア反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを組み合わせた磁気トンネル接合（MTJ）を設計し、巨大なトンネル磁気抵抗（TMR）効果が現れることを理論的に予測しました。この成果は、反強磁性トンネル接合デバイスの設計開発の指針となり、将来的に超高速・低消費電力で動作する高密度な不揮発性磁気メモリの開発につながることが期待されます。本研究成果は2026年4月16日に米国物理学会誌Physical Review Materialsに掲載され、注目論文としてEditors' Suggestionに選出されました。
なお、本研究成果は東京大学とJSR株式会社との共同研究、社会連携講座「トポロジカル物質・デバイス創造講座」での研究活動を通して得られたものです。
研究詳細
反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測 ―次世代高密度・超高速磁気メモリの開発に貢献―
研究者情報
見波 将京都大学教育研究活動データベース論文情報
| タイトル |
Ab initio study of magnetoresistance effect in Mn3Sn/MgO/Mn3Sn antiferromagnetic tunnel junction |
|---|---|
| 著者 |
Katsuhiro Tanaka, Yuta Toga, Susumu Minami, Satoru Nakatsuji, Takuya Nomoto, Takashi Koretsune, and Ryotaro Arita |
| 掲載誌 |
Physical Review Materials |
| DOI |
10.1103/xt7z-sf3x |
| KURENAI |
関連リンク
機械理工学専攻2026年04月17日