次世代半導体エレクトロニクス共創研究センターを新設

～2センターを統合し、研究から社会実装・人材育成までを一体的に推進～

カテゴリ：プレスリリース｜2026年3月25日掲載

ポイント

○  「極微デバイス次世代材料研究センター」と「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」を統合し、「次世代半導体エレクトロニクス共創研究センター」を新設
○   窒化ガリウム（GaN）、窒化アルミニウム（AlN）、酸化ガリウム（Ga₂O₃）などの次世代半導体材料・先端デバイス研究を推進し、スマートグリッド・電気自動車・光通信等への応用を目指す
○   産学官連携による技術の橋渡しと、最先端半導体技術を担う研究者・技術者の育成を強化

概要

名古屋工業大学は、次世代半導体の研究から社会実装、人材育成までを一体的に推進するため、2026年4月1日に「次世代半導体エレクトロニクス共創研究センター」を新設します。
本センターは、「極微デバイス次世代材料研究センター」と「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」を統合して設立するもので、両センターが培ってきた研究実績と産学連携の知見を生かし、研究体制を一層強化します。体制は、「次世代材料・デバイス研究グループ」「システム開発・ビジネス共創グループ」「教育・人材育成グループ」の3グループで構成し、ワイドギャップ半導体や量子半導体などの先端材料研究を進めるとともに、企業との共同研究や技術移転を強化します。また、クリーンルーム等の研究施設を活用した実証研究を通じて、研究成果の社会実装を進めます。
あわせて、研究活動と連動した教育プログラムやリカレント・リスキリング教育を展開し、持続可能なエネルギー社会の構築や環境負荷低減に貢献する半導体人材を育成します。
本学は、本センターの設立を通じて、我が国の半導体分野における国際競争力の強化に貢献します。  
【参考】次世代半導体エレクトロニクス共創研究センター概要資料

問い合わせ先

名古屋工業大学 研究支援課
TEL：052-735-5018
E-mail：k-kyou[at]adm.nitech.ac.jp
＊[at]を@に置換してください。