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京都大学 研究Discovery Saga
2026年1月9日

反強磁性体で電流による電子の液晶化を実証

―エレクトロニクス応用可能な電気抵抗変化として世界初観測―

【注目の成果:共同研究・産学連携のためのチェックポイント】
革新的なメモリや整流素子としてエレクトロニクス応用が期待
【産学連携対象 全学共通分野 Discovery Saga】
数物系科学化学総合理工工学農学
【Sagaキーワード】
フェルミ面/時間反転対称性/対称性/反強磁性/反強磁性体/磁場/液晶/空間反転対称性/磁性体/メモリ/強磁性/強磁性体/電気抵抗/電気伝導/電子状態/原子力/結晶構造
この研究の主な対象者
企業・研究者の方
公開日

概要

近年、自発的な磁化を持たない反強磁性体は、耐磁場性などの利点から次世代デバイスへの応用が期待されています。現在の開発の主流は、磁化を持つ強磁性体と同様に時間反転対称性のみが破れた反強磁性体です。一方、空間反転対称性も同時に破れる特殊な反強磁性体では、強磁性体とは全く異なる電子状態となるため、新原理の電気伝導が予言されていましたが、実験的な証拠はこれまで得られていませんでした。
 栁瀬陽一 理学研究科教授は、酒井英明 東北大学教授(研究開始時:大阪大学准教授)、宮本雄哉 大阪大学修士課程学生(研究当時)、木俣基 日本原子力研究開発機構研究副主幹(研究開始時:東北大学准教授)らと共同で、時間・空間反転対称性のいずれも持たない反強磁性体SrMnBi2において、均一な電子の動きやすさ(電子状態)が電流により液晶のように特定の方向へ偏って歪むという新現象を、電気抵抗のダイオード的な成分として初めて検出することに成功しました。さらに、反強磁性パターンを電流と磁場で制御することでダイオード特性の極性反転にも成功しました。このスイッチング可能な現象は、革新的なメモリや整流素子としてエレクトロニクス応用が期待されます。
 本研究成果は、2026年1月7日に、国際学術誌「Nature Communications」にオンライン掲載されました。
画像

 (a)PT対称磁性体の電子状態(フェルミ面)の概念図。 (b) SrMnBi₂の結晶構造の模式図(左)。四面体に囲まれたMnサイトがPT対称反強磁性秩序を示す。二次元Bi層のディラック電子が形成する電子ポケットの概念図(右)。

詳しい研究内容について

反強磁性体で電流による電子の液晶化を実証―エレクトロニクス応用可能な電気抵抗変化として世界初観測―

研究者情報

研究者名 栁瀬 陽一
京都大学 教育研究活動データベース

書誌情報

【DOI】
https://doi.org/10.1038/s41467-025-67229-y

【KURENAIアクセスURL】
http://hdl.handle.net/2433/298875

【書誌情報】
Hideaki Sakai, Yuya Miyamoto, Motoi Kimata, Hikaru Watanabe, Yoichi Yanase, Masayuki Ochi, Masaki Kondo, Hiroshi Murakawa, Noriaki Hanasaki (2026). Transport evidence of current-induced nematic Dirac valleys in a parity-time-symmetric antiferromagnet.Nature Communications, 16, 11112.

関連部局

理学部・理学研究科