JST「次世代エッジAI半導体研究開発事業（テーマ③ 次世代トランジスタ技術）」に採択された研究開発課題に大竹充准教授が主たる研究分担者として参画

　このたび、本学の大竹 充 准教授（大学院工学研究院）が、国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST）が公募した「次世代エッジAI半導体研究開発事業」の「テーマ③ 次世代トランジスタ技術」に採択された研究開発課題に主たる研究分担者として参画します。

事業の概要

研究開発課題名：新構造・新材料トランジスタと低抵抗配線の研究開発
研究開発代表者：慶應義塾大学大学院・理工学研究科・教授　多田 宗弘
本学主たる研究分担者：横浜国立大学・大学院工学研究院・准教授　大竹 充

　本事業は、クラウド側の消費電力増大という課題に対し、エッジ側での高度なAI情報処理を可能とする半導体の飛躍的な性能向上を目指すものです。本研究開発課題では、従来のシリコンに代わる新構造・新材料トランジスタ、および、従来の銅を超える低抵抗の新材料配線技術の開発を目指します。本学教員は、実施項目「新材料微細配線の開発」において、エピタキシャル成長配線技術の開発を行います。

関連リンク

次世代エッジAI半導体研究開発事業（JST）

(担当：大学院工学研究院)