世界初、CMOS／スピントロニクス融合技術を活用した エッジAI向け実証チップの開発に成功しました

―従来比50倍以上のエネルギー効率改善を実証システムで確認―

2025年7月 7日 11:15

研究者情報

〇電気通信研究所　教授　羽生貴弘
〇国際集積エレクトロニクス研究開発センター
センター長・教授　遠藤哲郎
教授　池田正二

発表概要

NEDOは「省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業」（以下、本事業）において、エッジ領域に適した高性能かつ省エネルギーな人工知能（AI)半導体デバイスの早期実現を目指して、開発を進めてきました。このたび、国立大学法人東北大学と株式会社アイシンは、磁気抵抗メモリ（MRAM）を大容量搭載したエッジ領域向け「CMOS／スピントロニクス融合AI半導体」を開発しました。OSやアプリの起動用途とメインメモリ用途を兼ねた内蔵メモリとしてCMOS／スピントロニクス融合技術を活用した、エッジAI向けアプリケーションプロセッサ搭載チップの開発は世界初となります。
開発した実証チップは、動作時および待機時電力の大幅低減、起動時間の短縮が可能であり、実証チップを搭載した実証システムの検証において、従来比でエネルギー効率50倍以上、起動時間30分の1以下の改善効果を確認しました。
今後は、車載機器やその他幅広い分野での応用技術開発を進めます。



図1　本事業が目指す多様な社会実装

詳細（プレスリリース本文）

問い合わせ先

（研究に関すること）
東北大学電気通信研究所
教授 羽生貴弘
TEL: 022-217-5679
Email:takahiro.hanyu.c4*tohoku.ac.jp
（*を@に置き換えてください）
（報道に関すること）
東北大学電気通信研究所総務係
TEL: 022-217-5420
Email:riec-somu*grp.tohoku.ac.jp
（*を@に置き換えてください）






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