「表面」に関するサイレントキーワード「グラフェン」が含まれる科研費採択研究2件

【研究名】半絶縁性SiC上ウェハスケールグラフェンはエレクトロニクス応用に最適なのか？
【研究代表者】乗松 航  名古屋大学   工学研究科   准教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030409669/	
【研究名】次世代超高速デバイス実現に向けた新規ディラック原子層材料の開発
【研究代表者】松田 巌  東京大学   物性研究所   准教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000343103/	 
【研究分担者】
近藤 剛弘  筑波大学  数理物質系  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070373305/	
冨中 悟史  国立研究開発法人物質・材料研究機構  国際ナノアーキテクトニクス研究拠点  主任研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090468869/