「半導体」に関するサイレントキーワード「ヒ化ガリウム(GaAs)」が含まれる科研費採択研究8件 【研究名】GaAs薄膜太陽電池の高速剥離を目指した赤外線レーザーリフトオフプロセスの開発 【研究代表者】渡辺 健太郎 東京大学 先端科学技術研究センター 特任講師 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030523815/ 【研究名】弾道電子放出顕微鏡による半導体/磁性体ヘテロ構造における磁気輸送機構の解明 【研究代表者】吉野 淳二 東京工業大学 大学院・理工学研究科 教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090158486/ 【研究分担者】 長島 礼人 東京工業大学 大学院・理工学研究科 助手 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030277834/ 【研究名】ErAs/III-V半導体量子ヘテロ構造におけるトンネル現象の解明と負性抵抗デバイス 【研究代表者】田中 雅明 東京大学 大学院・工学系研究科 助教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030192636/ 【研究名】超微細構造半導体上磁性ドットの量子干渉複合界面効果の研究 【研究代表者】堀 秀信 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020028244/ 【研究分担者】 金道 浩一 大阪大学 極限科学研究センター 助教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020205058/ 桜井 透 (櫻井 達 桜井 達) 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 助教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010183047/ 山田 省二 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 助教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000262593/ 古沢 昌宏 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 助手 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000251976/ 【研究名】III-V半導体/磁性体融合系(GaAs:Mn)の形成とその物性 【研究代表者】田中 雅明 東京大学 大学院・工学系研究科 助教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030192636/ 【研究分担者】 成塚 重弥 東京大学 大学院・工学系研究科 助手 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080282680/ 西永 頌 東京大学 大学院・工学系研究科 教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010023128/ ゲルハルト ファーソル 東京大学 生産技術研究所 助教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010251472/ 【研究名】半導体レーザーの発振光をプローブとした半導体の極低温物性の研究 【研究代表者】櫻井 捷海 (桜井 捷海) 東京大学 大学院・総合文化研究科 教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000012469/ 【研究分担者】 三井 隆久 東京大学 大学院・総合文化研究科 助手 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020242026/ 【研究名】半導体基板上におけるエピタキャシャル強磁性体超薄膜の形成とその応用 【研究代表者】田中 雅明 東京大学 大学院・工学系研究科 助教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030192636/ 【研究分担者】 広野 滋 日本電信電話会社 境界領域研究所 主任研究員 GERHARD Faso (ファーソル ゲルハルト) ユーロテクノロジー 主任研究員 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010251472/ 西永 頌 東京大学 大学院・工学系研究科 教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010023128/ FASOL Gerhart Eurotechnology Corporation, Principal Reaearcher EASOL Gerhar ユーロテクノロジー 主任研究員 【研究名】化合物半導体製造関連化学物質曝露による健康影響 【研究代表者】大前 和幸 慶應義塾大学 医学部 助教授 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060118924/ 【研究分担者】 中島 宏 慶應義塾大学 医学部 助手 https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080217710/