「結晶成長」に関するサイレントキーワード「電子デバイス」が含まれる科研費採択研究3件

【研究名】窒化アルミニウム系超高耐圧半導体素子作製のための基盤技術開発
【研究代表者】上野 耕平  東京大学   生産技術研究所   助教 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090741223/	
【研究名】選択成長法を用いたGaN系立体チャネル型トランジスタの研究
【研究代表者】筒井 一生  東京工業大学   科学技術創成研究院   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060188589/	 
【研究分担者】
清水 三聡  国立研究開発法人産業技術総合研究所  エレクトロニクス・製造領域  ラボ長  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010357212/	
星井 拓也  東京工業大学  工学院  助教  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020611049/	
角嶋 邦之  東京工業大学  工学院  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000050401568/	
中島 昭  国立研究開発法人産業技術総合研究所  エネルギー・環境領域  主任研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060450657/	

【研究名】エピタキシャルフェライトヘテロ構造の創製とスピン機能デバイスへの応用
【研究代表者】中根 了昌  東京大学   工学(系)研究科(研究院)   准教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000050422332/