「半導体」に関するサイレントキーワード「電子デバイス」が含まれる科研費採択研究3件

【研究名】高移動度二次元正孔ガスpチャネルGaNトランジスタの開発
【研究代表者】星井 拓也  東京工業大学   工学院   助教 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020611049/	 
【研究分担者】
筒井 一生  東京工業大学  科学技術創成研究院  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060188589/	
中島 昭  国立研究開発法人産業技術総合研究所  エネルギー・環境領域  主任研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060450657/	

【研究名】窒化アルミニウム系超高耐圧半導体素子作製のための基盤技術開発
【研究代表者】上野 耕平  東京大学   生産技術研究所   助教 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090741223/	
【研究名】高密度正孔ガスを利用したダイヤモンド高出力ミリ波トランジスタ
【研究代表者】川原田 洋  早稲田大学   理工学術院   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090161380/	 
【研究分担者】
立木 実  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/10000独)物質材料研究機構  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000050318838/	
梁 正勲  早稲田大学  付置研究所  助手  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080409680/	
岩崎 孝之  早稲田大学  理工学術院  助手  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080454031/	
【研究連携者】     
高野 義彦  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/10000独)物質材料研究機構  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010354341/	
梁 正勲  早稲田大学  理工学術院  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080409680/	
岩 孝之  早稲田大学  理工学術院  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080454031/