「省エネルギー」に関するサイレントキーワード「欠陥準位」が含まれる科研費採択研究1件

【研究名】高品質界面を有するSiC MOS反転層チャネル移動度の制約因子の解明
【研究代表者】喜多 浩之  東京大学   大学院工学系研究科(工学部)   准教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000343145/