「結晶成長」に関するサイレントキーワード「窒化ガリウムGaN」が含まれる科研費採択研究1件

【研究名】選択成長法を用いたGaN系立体チャネル型トランジスタの研究
【研究代表者】筒井 一生  東京工業大学   科学技術創成研究院   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060188589/	 
【研究分担者】
清水 三聡  国立研究開発法人産業技術総合研究所  エレクトロニクス・製造領域  ラボ長  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010357212/	
星井 拓也  東京工業大学  工学院  助教  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020611049/	
角嶋 邦之  東京工業大学  工学院  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000050401568/	
中島 昭  国立研究開発法人産業技術総合研究所  エネルギー・環境領域  主任研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060450657/