「半導体」に関するサイレントキーワード「シングルイオン注入法」が含まれる科研費採択研究3件

【研究名】単一原子の個数と位置が制御された新しい半導体の創製とその応用
【研究代表者】大泊 巌  早稲田大学   理工学術院   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030063720/	 
【研究分担者】
堀越 佳治  早稲田大学  理工学術院  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060287985/	
品田 賢宏  早稲田大学  先端科学・健康医療融合研究機構  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030329099/	

【研究名】シングルイオン注入法による半導体電気的特性ゆらぎ抑制に関する研究
【研究代表者】大泊 巌  早稲田大学   理工学部   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030063720/	 
【研究分担者】
豊島 義明  株式会社東芝セミコンダクター社  マイクロエレクトロニクス研究所  主査
品田 賢宏  早稲田大学  理工学部・日本学術振興会  特別研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030329099/	

【研究名】量子化イオン照射による半導体ナノ構造の加工と特性制御
【研究代表者】大泊 巌  早稲田大学   理工学部   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030063720/	 
【研究分担者】
原 謙一  早稲田大学  理工学部  助手  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000040298162/	
豊島 義明  東芝セミコンダクター社  マイクロエレクトロニクス研究所  主査
松川 貴  早稲田大学  理工学部  助手  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070287986/