「電子状態計算」に関するサイレントキーワード「界面欠陥」が含まれる科研費採択研究1件

【研究名】界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明
【研究代表者】松下 雄一郎  東京工業大学   科学技術創成研究院   特任准教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090762336/	 
【研究分担者】
藤ノ木 享英 (梅田享英)  筑波大学  数理物質系  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010361354/	
大島 武  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構  高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター  センター長  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000050354949/	
吉岡 裕典  国立研究開発法人産業技術総合研究所  エネルギー・環境領域  主任研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060712528/	
土方 泰斗  埼玉大学  理工学研究科  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070322021/	
押山 淳  名古屋大学  未来材料・システム研究所  特任教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080143361/